真我GTNeo3将采用居中打孔屏幕方案且四面边框极窄

，realme 将于 3 月 22 日举行新品发布会，发布新机真我 GT Neo3正面照显示，真我 GT Neo3 将采用居中打孔屏幕方案，且四面边框极窄

据数码博主 数码闲聊站 爆料，真我 GT Neo3 拥有较好的屏幕素质，成本相较于 GT Neo2 的 E4 硬屏更高，采用柔性类钻排 + 10.7 亿色 + 逐片校准 + COP 封装。

该博主透露，真我 GT Neo3 拥有 1.48mm 边框与 2.37mm 下巴，搭载屏幕指纹，支持 DC 调光。

本站了解到，目前，真我 GT Neo3 已确认搭载天玑 8100 + 独立显示芯片，为 realme 首款双芯旗舰，还配备满血版 LPDDR5+UFS3.1。

根据此前信息，真我 GT Neo3 将全球首发 150W 光速秒充，官方称 5 分钟充电 50％且支持 1600 次循环充放电。，今日下午，realme副总裁，中国区总裁，全球营销总裁徐起公布了真我GTNeo3屏幕参数。。

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